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GT25Q101


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
der GT25Q101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 25A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Erweiterte Informationen zu GT25Q101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-21F1C
GT25Q101 Datenblatt (jpg):verfügbar
GT25Q101 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑GN12030E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GT25Q101


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UGE ±20V
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TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
der GT25Q101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 25A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Ähnliche Typen: ↑GN12030E
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

GN12030E


SI N-IGBT Transistor
similar to GT25Q101, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
der GN12030E ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GN12030E Datenblatt (jpg):-
GN12030E Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑GT40T101, [mehr]
GT40T101,MGY25N120
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GN12030E


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